可靠性介绍
可靠性（Reliability）是对器件耐久力的描述，安路主要以JESD47为测试大纲，通过不同针对性的试验对器件进行测试考核，其可包括：
晶圆工艺相关的可靠性（HCI、BTI、TDDB、GOI、EM、SM……）
电路相关的可靠性(ESD、Latch-up、HTOL、LTOL……)
封装相关的可靠性(PC、TCT、HTSL、(u)HAST……)
板级相关的可靠性（BTC……）
这些测试条件远比应用场景严苛，通过激发潜在的半导体晶圆和封装的薄弱点，用于剔除器件早期缺陷、检验器件可靠性指标、评估器件寿命、加强器件可靠性水平。试验数据会被收集以说明器件可靠性，同时对不合格品的每一个故障的原因进行细致地分析，采取有效的纠正措施进行闭环。
安路目前主要参考的规范如下（编号最新版本请查阅JEDEC官方网站）:
| 序号 | 标准编号 | 标准状态 | 标准项目 |
|---|---|---|---|
| 1 | JESD22-A113 | 现行 | IC 集成电路压力测试考核 |
| 2 | JESD22-A113 | 现行 | 塑封表贴器件可靠性试验前的预处理 |
| 3 | JESD22-A100 | 现行 | 循环温湿度偏置寿命 |
| 4 | JESD22-A101 | 现行 | 稳态温湿度偏置寿命 |
| 5 | JESD22-A102 | 现行 | 加速水汽抵抗性-无偏置高压蒸煮 |
| 6 | JESD22-A103 | 现行 | 高温贮存寿命 |
| 7 | JESD22-A104 | 现行 | 温度循环 |
| 8 | JESD22-A106 | 现行 | 热冲击 |
| 9 | JESD22-A110 | 现行 | 高加速温湿度应力试验（HAST）（有偏置电 压未饱和高压蒸汽） |
| 10 | JESD22-A118 | 现行 | 加速水汽抵抗性——无偏压HAST（无偏置电 压未饱和高压蒸汽） |
| 11 | J-STD-002D | 现行 | 可焊性 |
| 12 | JESD22-B115 | 现行 | 焊球拉脱试验 |
| 13 | JESD22-B116 | 现行 | 引线键合的剪切试验 |
| 14 | JESD22-B117 | 现行 | 焊球剪切 |
| 15 | JESD78 | 现行 | 闩锁测试 |
| 16 | JESD22- A108 | 现行 | 温度、偏置度和使用寿命 |
| 17 | JS-001 | 现行 | 静电放电灵敏度试验人体模型(HBM) |
| 18 | JS-002 | 现行 | 静电放电灵敏度试验器件充放电模型(CDM) |
| 19 | J-STD-020 | 现行 | 非密封表面贴装设备的湿度/回流灵敏度分级 |
| 20 | JEDEC-SPP-024 | 现行 | 球栅阵列封装的回流平整度要求 |
| 21 | JESD89-3 | 现行 | 高能光束加速软失效测试要求 |
| 22 | JESD85 | 现行 | 计算器件故障率方法 |
器件寿命
器件寿命是指器件在符合规定的应力环境下，各性能指标或验收要求符合产品规格书的使用时间。通常一个器件的最薄弱部分决定了其寿命。当器件失效率分布符合威布尔函数时，定义一个器件累计失效率在63.2%之下的时间作为该器件的特征寿命。我们用特征寿命曲线（浴缸曲线）来表示，其由以下三部分组成：
第一部分随时间递减的失效率，称之为早夭（early failure）。
第二部分近似固定的失效率，称为随机失效（random failure）。
第三部分为超过其设计寿命后，随时间递增的失效率，称为耗损失效（wear out）。
我们采用多种方法确保产品符合严格的质量和可靠性目标。可靠性是我们确保产品整体性能质量的基石，我们在新产品、新工艺、新封装的研发阶段执行了大量的可靠性测试，并持续监控它们的可靠性，因此具备业界领先的FIT（寿命内故障）比率。
安路通过 JESD85 （Methods for Calculating Failure Rates in Units of FITs）来统一衡量产品的失效。
其计算描述如下：
安路通过以上器件能够承受的一套通用可接受的压力测试标准，评估器件在不同工作环境中使用的可靠性，以确保应用环境下良好的可靠性表现。
可靠性数据
安路有极为可靠的监管和预防计划，可确保安路发出的所有产品都具有最佳质量。安路利用一流的设备和技术，对每一项工艺执行所有主要类型的可靠性测试。加速环境压力测试的结果可外推至标准工作条件，预测有效产品寿命并确保我们的产品具有业界最高的可靠性等级。
如需获得详细的可靠性数据，请联系销售或者经销商。
